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    Home»兩岸»英特爾CEO:中國芯片製造能力落後十年
    兩岸

    英特爾CEO:中國芯片製造能力落後十年

    wp_news2By wp_news22024 年 1 月 20 日尚無留言1 Min Read
    Pat Gelsinger, CEO of US multinational corporation and technology company Intel, walks after the signing of an agreement between the German government and Intel at the Chancellery in Berlin on June 19, 2023. (Photo by Odd ANDERSEN / AFP)
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    英特爾CEO:中國芯片製造能力落後十年

    2023年6月19日,在柏林總理府,美國跨國科技公司英特爾公司首席執行官帕特·蓋爾辛格(Pat Gelsinger)在德國政府與英特爾公司簽署協議後散步(ODD ANDERSEN/AFP via Getty Images)

    【2024年01月20日訊】(記者李言綜合報導)英特爾執行長帕特·蓋爾辛格(Pat Gelsinger)在達沃斯論壇表示,中國在芯片(晶片)製造方面落後全球半導體產業約10年,而且這種狀態將持續下去。
    據CNBC報導,週三,在瑞士舉行的2024年世界經濟論壇年會上,英特爾負責人蓋爾辛格指出,當前多個國家的出口政策,加上行業內缺乏互聯互通,導致中國芯片製程落後了10年,而且這是一個可持續差距。
    「最近實施的出口政策,我們看到荷蘭(政策)的實施,美國政策、日本政策,某種程度上為(中國半導體行業)在10到7納米範圍內設定了底線。」他說,「我們正在競相向2奈米以下,然後是1.5奈米邁進,你知道我們看不到盡頭。」
    蓋爾辛格分析說,這並非說中國沒有在創新,但這是一個高度互聯的行業,涵蓋了蔡司(ZEISS)的鏡片、阿斯麥(ASML)的設備組裝、日本的化學品和光刻膠(光阻劑)、英特爾的光罩製造等。
    目前,中國的代工廠中芯國際擁有7奈米級的製程技術,比台積電和三星大約落後五年半。同時,據媒體報導,上海華力微電子股份有限公司(HLMC)已於2020年開始試產基於14奈米FinFET製造製程的芯片,這意味著它現在比台積電落後了9到10年。
    然而,中芯國際和華力微電子都使用荷蘭、日本、韓國、台灣和美國生產的工具,以及純日本的原料。
    「所有這些加在一起,我認為這是一個10年的差距,而且我認為在已經實施的出口政策的情況下,這是一個可持續的10年差距。」
    拜登政府自2022年以來對中國實施了一系列出口限制,不僅禁止出口最尖端的芯片,還禁止出口芯片設計軟件、製造設備和美國製造的零件。不僅如此,這些禁令還涵蓋全球任何使用美國半導體技術的公司出口芯片。
    如果英特爾執行長的說法可信,那麼這些制裁目前似乎正在按預期發揮作用。中國繼續因這些限制而落後之際,像英特爾這樣的芯片製造商正在向未來邁進。
    蓋爾辛格表示,在德國開發的一座大型新芯片製造工廠將成為「世界上最先進的製造工廠」。
    (本文參考了PCGamer和Tomshardware相關報導)
    責任編輯:林妍#

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